Code SH 85423219 - circuits intégrés mémoire multipuces

Circuits intégrés électroniques utilisés comme mémoires sous forme de circuits intégrés à puces multiples constitués d’au moins deux circuits intégrés monolithiques interconnectés, tels que visés à la note 12 b) 3) du chapitre 85

Peut être utilisé pour une déclaration d'importation.
(Nomenclature Combinée, Numéro du tarif douanier)

Exemples (Pas d'informations officielles ni de garantie)

- Mémoire vive DRAM (Dynamic Random Access Memory) en circuit intégré à puces multiples, composée de 4 circuits monolithiques interconnectés (capacité : 16 Go, taille : 30 x 15 mm).
- Mémoire flash NAND en circuit intégré à puces multiples, comprenant 2 circuits monolithiques interconnectés (capacité : 512 Go, taille : 12 x 12 mm).
- Mémoire SRAM (Static Random Access Memory) en circuit intégré à puces multiples, avec 3 circuits monolithiques interconnectés (capacité : 8 Mo, taille : 10 x 10 mm).
- Circuit intégré de mémoire EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) à puces multiples, constitué de 2 circuits monolithiques interconnectés (capacité : 2 Mo, taille : 8 x 8 mm).
- Mémoire NOR flash en circuit intégré à puces multiples, assemblée avec 2 circuits monolithiques interconnectés (capacité : 128 Mo, taille : 14 x 14 mm).
- Mémoire MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) en circuit intégré à puces multiples, composée de 2 circuits monolithiques interconnectés (capacité : 64 Mo, taille : 12 x 12 mm).
- Circuit intégré de mémoire FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) à puces multiples, incluant 2 circuits monolithiques interconnectés (capacité : 4 Mo, taille : 10 x 10 mm).